IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由一種由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點。